buh150 - datasheet

8/17/2019 BUH150 - datasheet

1/12

The BUH150 has an application specific state–of–art die designedfor use in 150 Watts Halogen electronic transformers.

This power transistor is specifically designed to sustain the large

inrush current during either the start–up conditions or under a short

circuit across the load.

This High voltage/High speed product exhibits the following main

features:

• Improved Efficiency Due to the Low Base Drive Requirements:

High and Flat DC Current Gain hFEFast Switching

• Robustness Thanks to the Technology Developed to Manufacture

this Device

• ON Semiconductor Six Sigma Philosophy Provides Tight andReproducible Parametric Distributions

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î


MAXIMUM RATINGSÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

RatingÎ Î Î

Î Î Î

SymbolÎ Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

ValueÎ Î Î

Î Î Î

Unit



Collector–Emitter Sustaining VoltageÎ Î Î

Î Î Î

VCEOÎ Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

400Î Î Î

Î Î Î

Vdc



Collector–Base Breakdown VoltageÎ Î Î

Î Î Î

VCBOÎ Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

700Î Î Î

Î Î Î

Vdc



Collector–Emitter Breakdown VoltageÎ Î Î

Î Î Î

VCESÎ Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

700Î Î Î

Î Î Î

Vdc



Emitter–Base VoltageÎ Î Î

Î Î Î

VEBOÎ Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

10Î Î Î

Î Î Î

Vdc


Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î


Collector Current — Continuous

— Peak (1)

Î Î Î

Î

Î Î

Î Î Î

IC

ICM

Î Î Î Î Î

Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

15

25

Î Î Î

Î

Î Î

Î Î Î

Adc


Î



Base Current — Continuous

Base Current — Peak (1)

Î Î Î

Î

Î Î

Î Î Î

IBIBM

Î Î Î Î Î

Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

6

12

Î Î Î

Î

Î Î

Î Î Î

Adc



*Total Device Dissipation @ TC = 25C

*Derate above 25°CÎ Î Î

Î Î Î

PDÎ Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

150

1.2Î Î Î

Î Î Î

Watt

W/ C



Operating and Storage TemperatureÎ Î Î

Î Î Î

TJ, TstgÎ Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

–65 to 150Î Î Î

Î Î Î

CÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î


THERMAL CHARACTERISTICSÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î




Thermal Resistance

— Junction to Case

— Junction to Ambient

Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

RθJCRθJA

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

0.85

62.5

Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

C/W



Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:

1/8″ from case for 5 secondsÎ Î Î

Î Î Î

TLÎ Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

260Î Î Î

Î Î Î

C

(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%.

© Semiconductor Components Industries, LLC, 2002

April, 2002 – Rev. 31 Publication Order Number:

BUH150/D

POWER TRANSISTOR

15 AMPERES

700 VOLTS150 WATTS

CASE 221A–09TO–220AB

12

3

http://www.digchip.com/datasheets/parts/datasheet/343/BUH150.phphttp://www.digchip.com/


2/12

BUH150

http://onsemi.com

2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

CharacteristicÎ Î Î Î

Î Î Î Î

SymbolÎ Î Î Î

Î Î Î Î

MinÎ Î Î Î

Î Î Î Î

TypÎ Î Î Î

Î Î Î Î

MaxÎ Î Î

Î Î Î

Unit

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î


OFF CHARACTERISTICS


Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î


Collector–Emitter Sustaining Voltage

(IC = 100 mA, L = 25 mH)

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

VCEO(sus)Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

400 Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

460 Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î

Î

Î Î

Î Î Î

Vdc



Collector–Base Breakdown Voltage

(ICBO = 1 mA)Î Î Î Î

Î Î Î Î

VCBO Î Î Î Î

Î Î Î Î

700Î Î Î Î

Î Î Î Î

860Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

Vdc




Emitter–Base Breakdown Voltage

(IEBO = 1 mA)

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

VEBO

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

10Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

12.3Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

Vdc


Î



Collector Cutoff Current

(VCE = Rated VCEO, IB = 0)

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

ICEOÎ Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

100Î Î Î

Î

Î Î

Î Î Î

µAdc



Collector Cutoff Current

(VCE = Rated VCES, VEB = 0)Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

@ TC = 25°C

@ TC = 125°CÎ Î Î Î

Î Î Î Î

ICES Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

100

1000Î Î Î

Î Î Î

µAdc


Î



Collector Base Current

(VCB = Rated VCBO, VEB = 0)

Î Î Î Î Î

Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

ICBO

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

100

1000

Î Î Î

Î

Î Î

Î Î Î

µAdc


Î



Emitter–Cutoff Current

(VEB = 9 Vdc, IC = 0)

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

IEBOÎ Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

100Î Î Î

Î

Î Î

Î Î Î

µAdc



ON CHARACTERISTICS


Î



Base–Emitter Saturation Voltage(IC = 10 Adc, IB = 2 Adc)

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

VBE(sat)Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

1Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

1.25Î Î Î

Î

Î Î

Î Î Î

Vdc



Collector–Emitter Saturation Voltage

(IC = 2 Adc, IB = 0.4 Adc)Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

@ TC = 25°C

@ TC = 125°CÎ Î Î Î

Î Î Î Î

VCE(sat)Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

0.16

0.15Î Î Î Î

Î Î Î Î

0.4

0.4Î Î Î

Î Î Î

Vdc



(IC = 10 Adc, IB = 2 Adc)Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

@ TC = 25°CÎ Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

0.45Î Î Î Î

Î Î Î Î

1Î Î Î

Î Î Î

VdcÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î


(IC = 20 Adc, IB = 4 Adc)Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

@ TC = 25°CÎ Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

2Î Î Î Î

Î Î Î Î

5Î Î Î

Î Î Î

VdcÎ Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î



DC Current Gain (IC = 20 Adc, VCE = 5 Vdc)Î Î Î Î Î

Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

hFEÎ Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

4

2.5

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

7

4.5

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î

Î

Î Î

Î Î Î

—





Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

8

6

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

12

10

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

—


Î




Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

@ TC = 25°C

@ TC = 125°C

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

12

14

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

20

22

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î

Î

Î Î

Î Î Î

—



DC Current Gain (IC = 100 mAdc, VCE = 5 Vdc) Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

@ TC = 25°C Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

10 Î Î Î Î

Î Î Î Î

20 Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

—



DYNAMIC SATURATION VOLTAGE

Î Î Î Î Î Î Î Î


Dynamic Saturation Î Î Î Î Î Î Î Î


IC = 5 Adc, IB1 = 1 AdcÎ Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

@ TC = 25°C Î Î Î Î

Î Î Î Î

VCE(dsat)Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

1.5 Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

V



Voltage:

Determined 3 µs afterÎ Î Î Î Î Î Î Î


,

VCC = 300 V Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

@ TC = 125°CÎ Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

2.8 Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

V



rising IB1 reaches Î Î Î Î Î Î Î Î


IC = 10 Adc, IB1 = 2 AdcÎ Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

@ TC = 25°CÎ Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

2.4 Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

V



o na B1(see Figure 19)



,

VCC = 300 V Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î

@ TC = 125°CÎ Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

5 Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

V



DYNAMIC CHARACTERISTICS


Î



Current Gain Bandwidth

(IC = 1 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz)

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

fTÎ Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

23 Î Î Î Î

Î

Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î

Î

Î Î

Î Î Î

MHz



Output Capacitance(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Cob Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

100 Î Î Î Î

Î Î Î Î

150 Î Î Î

Î Î Î

pF




Input Capacitance

(VEB = 8 Vdc, f = 1 MHz)

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Cib

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

1300Î Î Î Î

Î Î Î Î

Î Î Î Î

1750Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î

pF


3/12


4/12

BUH150

http://onsemi.com

4

TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS

Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt

°

°

°


°

°

°


°

° °

Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage

°

°

°

Figure 5. Collector–Emitter Saturation Voltage

°

°

Figure 6. Base–Emitter Saturation Region

°

°

°


5/12

BUH150

http://onsemi.com

5

TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS

Figure 7. Base–Emitter Saturation Region

°

°

°

Figure 8. Collector Saturation Region

°

Figure 9. Capacitance

°

Figure 10. Resistive Breakdown

Ω

°


6/12

BUH150

http://onsemi.com

6

µ

TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS

Figure 11. Resistive Switching, ton

µ

Figure 12. Resistive Switch Time, toff

Figure 13. Inductive Storage Time, tsi

°

°

µ

Figure 14. Inductive Storage Time,

tc & tfi @ IC/IB = 5

°

°

°

°

°

°

µ

µ

Figure 13 Bis. Inductive Storage Time, tsi

°

°

µ

µ

µ

Figure 15. Inductive Storage Time,

tc & tfi @ IC/IB = 10

°

°

µ

°

°


7/12

BUH150

http://onsemi.com

7


°

°

Figure 16. Inductive Storage Time

µ

Figure 17. Inductive Fall Time

°

°

µ

µ

Figure 18. Inductive Crossover Time

µ

°

°


8/12

BUH150

http://onsemi.com

8


Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit

∞

µ

µ

Figure 19. Dynamic Saturation Voltage

Measurements

µ

µ

µ

Figure 20. Inductive Switching Measurements

µ Ω

Ω

Ω

µ

Ω

µ

µ

µ


9/12


10/12


11/12

BUH150

http://onsemi.com

11

PACKAGE DIMENSIONS

CASE 221A–09ISSUE AA

TO–220AB

B

Q

H

Z

L

V

G

N

A

K

F

D

–T–C

ST

U

R

J


12/12

BUH150

http://onsemi.com

12

ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to makechanges without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for anyparticular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and s pecifically disclaims any and allliability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/orspecifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must bevalidated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applicationsintended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or deathmay occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC

and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney feesarising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges thatSCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.

PUBLICATION ORDERING INFORMATION

JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031Phone: 81–3–5740–2700Email: [email protected]

ON Semiconductor Website: http://onsemi.com

For additional information, please contact your localSales Representative.

BUH150/D

Literature Fulfillment:Literature Distribution Center for ON SemiconductorP.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USAPhone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/CanadaFax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/CanadaEmail: [email protected]

N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada

buh150 - datasheet

Documents