r,l, c (resistor, induktor,capasitor)

7/23/2019 R,L, C (Resistor, Induktor,Capasitor)

http://slidepdf.com/reader/full/rl-c-resistor-induktorcapasitor 1/42

Oleh:

4C-D4 TE

• Armanu Putra Ardilla 02

• Dinda Ayu Permatasari 04• Rizza Ade Fratama 16

• Tri Andi Setiawan 18

•

Wahyu Tri Wahono 20

R,L,C (Resistor, Induktor,

Capasitor)



Resistor DiffusionPada gambar

disamping adalah

resistor dengan dengan

salicide yang

menggunakan n-diff

dengan kontak. Dengan

jarak kontak ke kontak30 lambda. Dan dengan

lebar 4 lambda.

Resistor ini bernilai

206 Ohm.

Pada gambar disamping

adalah resistor tanpa

salicide dengan

menggunakan n-diffdengan kontak. Dengan

jarak kontak ke kontak 30

lambda. Dan dengan

lebar 4 lambda. Resistor

ini bernilai 2063 Ohm.



Pada gambar

diatas adalah

resistor yangmenggunakan n-

diff, metal, dan

kontak. Terdapat 2

selektor yaitu s1 &

s2 sedangkan

jarak kontak kekontak lamda dan

lebar lamda N-

Diffusion berbeda-

beda. Lebar 4

lamda. Resistor ini

bernilai 367 Ohm.

Pada gambar

diatas adalah

resistor yangmenggunakan n-

diff, metal, dan

kontak. Jarak

kontak atas

dengan bawah 4

lamda, panjangkontak ke kontak

23 lamda. Lebar 4

lamda. Panjang

metal ke kontak 4

lamda. Terdapat 2

selector s1 dan s2.

Pada gambar diatas

adalah resistor yang

menggunakan n-diff,metal, dan kontak.

Jarak kontak atas

sampai bawah 20

lamda, lebar metal

pada kontak 3 lamda,

lebar N-diffusion 4lamda begitu juga

jarak antar N-

Diffusion juga 4

lamda.



Pada gambar diatas


menggunakan bahan

n-diff, metal, dan

kontak. Bentuk

hampir memiliki

kesamaan dengan

Serpentine design.

Jarak kontak atas

dengah bawah 20lamda, lebar metal


lebar N-Diffusion 4

lamda, jarak antar

N-Diffusion 4 lamda.

Pada gambar diatas


menggunakan bahan n-

diff, metal, dan kontak.Jarak kontak atas 4

lamda, sedangkan jarak

kontak atas no 1 dengan

bawah no 3 yaitu 28

lamda, sedangkan kontak

2 dengan 3 yaitu 20lamda, lebar metal

dengan kontak 5 lamda

dan metal kedua dengan

kontak jaraknya 4 lamda,

lebar N-Diffusion 4 lamda

begitu juga jarak antar N-

Diffusion juga 4 lamda.

Pada gambar diatas


menggunakan bahan

n-diff, metal, dankontak. Jarak kontak

ke kontak 30 lamda,

lebar metal 1 pada

kontak (s2) 8 lamda,

jarak metal 2 ke pada

kontak (div2) 3 lamda,

sedangkan jarakmetal 3 ke kontak (s1)

5 lamda. Lebar N-

Diffusion 4 lamda.

Terdapat sel1, sel2

dan div2



Pada gambar diatas


menggunakan bahan n-diff, metal, dan kontak.

Jarak kontak ke kontak 30

lamda, lebar metal s1 & s2

terhadap kontak 5 lamda,

jarak metal div2 pada

kontak 8 lamda, Lebar N-

Diffusion 4 lamda dan

jarak antar kontak atas-

bawah 4 lamda. Terdapat

selector 1 , 2 dan divider 2.

Pada gambar diatas


menggunakan bahan n-

diff, metal, dan kontak.

Jarak kontak ke kontak

dari kiri ke kanan 30

lamda, jarak kontak atas

bawah 4 lamda, jarak

div2 pada kontak 3lamda, lebar metal 1 pada

kontak s1 dans2 5 lamda,

lebar n-diffusion dan

metal 4 lamda.



Resistor Polisilicon



Pada gambar disamping yaitu ( High current poly resistor used I/O pads for

ESD protection )

Resistor yang bernilai 200 Ohm dan jarak resistor 1 lambda. Lebar polisikon

66 lamda. Bahan yang digunakan polisicon,kontak dan options. Jarak options

terhadap polisilikon 5 lamda(atas), 2 lamda (samping kiri), 4 lamda (sampingkanan), 5 lamda(bawah).

Gambar diatas yaitu Default poly (low

resistance per square due to

silicide)terdapat resistor yang bernilai

33 Ohm sedangkan jarak kontak ke

kontak 30 lamda dan lebar 4 lamda.

• Gambar diatas yaitusilicide

poly terdapat resistor yang

bernilai 33 Ohm sedangkan

jarak kontak ke kontak 30

lamda dan lebar 4 lamda.



Gambar diatas yaitu

Unsilicide Poly (HighResistance per square)

terdapat resistor yang

bernilai 330 Ohm dan

jarak resistor 1 lambda,

sedangkan panjang

seluruh polisikon terhadap

kontak 30 lambda . Lebar

polisikon 4 lambda. Bahan

yang digunakan

polisikon,kontak dan

options. Jarak optionsterhadap polisilikon 3

lambda(atas), 4 lambda

(samping kiri), 2 lambda

(samping kanan), 5

lambda(bawah).

Gambar yaitu Dog

BoneDesign

Jarak kontak atas-

bawa 4 lamda,

semuanyaterdapat 4 lamda

sama seperti

panjang metal ke

kontak. Terdapat 2

selector s1 dan s2.Bahan polisikon,

metal, kontak

Gambar diatas

yaitu Poor Design

tidak terdapat

resistor dan

terdapat 2 selektors1 & s2 sedangkan

jarak kontak ke

kontak lamda dan

lebar lamda

polisikon berbeda-beda. Bahan

polisikon,metal dan

kontak. Jarak metal

ke kontak 4 lamda.



Gambar diatas

yaituBetter

Serpentine

Design Jarak

kontak atas-bawah20 lamda, lebar

metal pada kontak

3 lamda,lebar

polisikon 4 lamda

begitu juga jarakantar polisikon.

Bahan polisikon,

metal, kontak.

Hampir seperti

Serpentine design.

Gambar diatas yaitu

Best Serpentine

Design Jarak kontak

atas-bawah 4 lamda.

Lebar metal padakontak 5 lamda dan

metal kedua dengan

kontak jaraknya 4

lamda,lebar polisikon 4

lamda begitu juga

jarak antar polisikon.Bahan polisikon,

metal, kontak. Hampir

memiliki kesamaan

dengan Serpentine

design.

Gambar diatas yaitu

Poor Divider Jarak

kontak ke kontak 30

lamda, lebar metal 1

pada kontak 8

lamda, jarak metal 2

ke pada kontak 3,

sedangkan jarak

metal 3 ke kontak 5

lamda. Lebarpolisikon 4 lamda.

Bahan polisikon,

metal, kontak.

Terdapat selector 1 ,

2 dan divider 2



Gambar diatas yaitu

Better Divider (same

orientation) Jarak

kontak ke kontak 30lamda, lebar metal 1


lebah polisikon dan

metal 4 lamda.bahanpolisikon, metal dan

kontak.

Gambar diatas yaituBest

Divider (Dummy) Jarak kontak

ke kontak 30 lamda, lebar metal

s1 & s2 pada kontak 5

lamda,jarak metal div2 ke padakontak 8,sedangkan jarak metal

3 ke kontak 5 lamda. Lebar

polisicon 4 lamda dan jarak

antar kontak atas-bawah 4

lamda. Bahan polisikon, metal,

kontak. Terdapat selector 1 , 2

dan divider 2.



ResMos



Untuk N-Mos salah satu nodeterhubung dengan Vss dan

node yang lain diberi clock dan

untuk p-diff perlu

ditambahkan N-well

Untuk membuat ResMOs

dapat menggunakan N-diff

atau P-diff yang ditambahkan

dengan polysilicon yang telahterkontak dengan metal untuk

menyambungkan gate menjadi

satu diffusi• N-diff source berada pada

VSS• P-diff source berada pada

Vdd



• Untuk melihat nilai dari resistansi dengan cara membalik

grafik keluaran dari Vds dan Ids yang dilakukan dengan

menggambar secara manual• Untuk memperbesar dan memperkecil nilai resistor

dengan cara memperpanjang dan memperpendek N-diffdan Polysilicon



DESAIN INDUKTOR

Induktor dapat dihasilkan secara otomatisoleh Microwind menggunakan perintah

Edit!enerate Inductor" Nilai induktansi

muncul di #agian #awah window$ serta

resistensi dan %aktor kualitas &ang dihasilkan

'" Menggunakan parameter default,

induktansi kumparan pendekatan12nH, dengan faktor kualitas 1,15. Tata letak yang sesuai ditunjukkanpada Gambar dibawah ini. erhatikaninduktansi !irtual "#1$ dan resistensisimbol "%1$ ditempatkan dalam tata

letak. &nduktor seri ditempatkanantara ' dan ( dan resistensi serialantara ( dan ). *ika simbol+simbol inidihilangkan, seluruh induktor akandianggap sebagai simpul listriktunggal.

(aktor tinggin&a kualitas ' karena

kemungkinkan adan&a tam#ahan

tegangan tinggi$ dan selekti)itas &ang

tinggi pada domain %rekuensi" Se#uah

peningkatan &ang signi%ikan pada '

terdiri pada penggunaan lapisan logamsecara paralel *!am#ar +,-./" 0emilihan

metal1$ metal2$ hingga metal3

mengurangi resistensi parasit dari R+

dengan %aktor signi%ikan" 4asiln&a adalah

%aktor kualitas mendekati +2$ untuk

induktor 2N4"



Tampilan 2D dari tinggi ' induktor menggunakan

lapisan logam secara paralel *Inductor 2n 4igh

'"MSK/



Kumparan dapat dianggap se#agai rangkaian resonan R56"

0ada %rekuensi sangat rendah$ induktor akan men7adi

rangkaian pendek$ dan kapasitor akan men7adi rangkaian

ter#uka seperti pada gam#ar %rekuensi rendah" Ini #erarti

#ahwa tegangan pada simpul 6 hampir sama dengan A$ 7ika

tidak ada #e#an &ang terhu#ung ke node 6$ itu dise#a#kan

karena hampir tidak ada arus mengalir melalui R+" 0ada%rekuensi sangat tinggi$ induktor men7adi rangkaian ter#uka$

kapasitor arus pendek seperti pada gam#ar %rekuensi inggi"

Aki#atn&a$ hu#ungan antara 6 dan A cenderung menu7u

rangkaian ter#uka"



Inductor on Microwind



Inductor 3nH HighQ

*arak 'ntarMetal

#ebar Metal



&ndutor 12nH

ada gambar disampingini adalah desainindutor 12nH denganmenggunkan mikrowin.-esain indutor ini terdiri

dari lilitan metal yangditambahkan dengan!irtual indutor dan!irtual resistor.



ada bagian awal diberiinput berupa sinus dan

pada bagian akhir diberioutput.

(erikut adalah bentuk gelombang dari indutor 12nH



DESAIN KAPASITOR

Kapasitor yang digunakan dalam desainanalog untuk membangun filter,

kompensasi, decoupling dll. Idealnya, nilai

kapasitor harus tidak tergantung pada

kondisi bias, sehingga efek penyaringan

akan terletak pada frekuensi konstan.



DESAIN KAPASITOR (CAPA)

N Dff b b



N+ Diff atas substrat sebagai

kapasitor nonlinear

Pada gambar disamping adalah

capasitor dengan menggunakan n

diff. Desain ini terdiri dari n diffdan metal.

Dengan vn+ dan vss- pada desain

rangkaiannya. Dengan n diff 30

lambda x 27 lambda, lebar metal 4

lambda dengan panjangnyamenyesuaikan.

P+ Diff dengan N-Well sebagaiKapasitor

• Pada gambar disamping adalah

capasitor dengan menggunakan p

diff. Desain ini terdiri dari p+diff ,

n-well, dan metal. Dengan vp+

dan vss- pada desainrangkaiannya.

• Dengan p diff 30 lamda x 30

lambda. Lebar metal yaitu 4

lambda dengan panjang

menyesuaikan



MOS Gate Sebagai

Kapasitor

• Pada gambar disamping

adalah capasitor dengan

menggunakan mos gate.

Desain ini terdiri dari poly,

p+diff, n+diff, dan metal.

Dengan vg+ dan vss- pada

desain rangkaiannya.

Disini setiap bahan digabungkan dengan

menggunakan contact.



Capasitor 15pf

Gambar disamping

merupakan gambar

desain dari capasitor

15pf. Disini didesain

dengan menggunakan

polysilicon, polysilicon

2, dan metal.

Digabungkan dengan

menggunakan contact.



Capasitor Polisilicone Metal



Gambar disamping

merupakan desain Capasitor

dengan menggunkanpolysilicon. Desain ini terdiri

dari polysilicon dan

polysilicon 2. Dua macam poly

ini digabungkan dandikontak masing masing

pinggirnya dengan metal



Pada gambar

disamping

capacitor didesain dengan

menggunakan

metal 1, metal 2,

metal 3, metal 4.Pada sisi kanan

dan kiri metal

diberi contact ke

masing masingmetal.



Polisilicon 1 – Polisilicon 2 Capacitor



Terdapat 2

polisilicone yaitu

polisilicone 1 danpolisilicone 2. Dan

juga 2 metal yaitu

metal 1 dan metal

2.

RLC



RLC



RLC

Tediri darimetalyangmana

terdapatresistor,kapasitordan

induktor



TERIMA KASIH

r,l, c (resistor, induktor,capasitor)

Documents