大面積投影露光装置...投影露光方式で“新しい可能性”を提案します new...

大面積投影露光装置 UXシリーズ

Large-Area Projection Exposure System UX Series

投影露光方式で“新しい可能性”を提案しますNew Possibilities for Projection Exposure

ウシオは、「大面積投影露光方式」で、高密度実装の新しい可能性を提案します。●最大φ320mmの大口径レンズによる、飛躍的な歩留まりの向上、スループットアップ。●最大100μmの深い焦点深度がもたらす、段差基板、厚膜レジストへの高精度露光。●±0.1%のオートスケーリングと大面積分割露光による次世代超高密度実装基板の実現。

USHIO's large-area projection exposure method opens new possibilities for the 21st century●Large-diameter lens (up to φ320 mm) offers dramatic enhancement of throughput and yield.●Depth of focus of up to 100 μm enables high-precision exposure of step-structure substrates and thick

photoresist films.●Auto scaling of ±0.1% and large area step-and-repeat exposure allow manufacture of next-generation super-

high-density boards

● 1

マスクとワークが非接触の投影露光方式。レジスト付着などによるマスクダメージがなく、マスクが半永久的に使えるため、ランニングコストが低減されます。また、配線欠陥を防止し、歩留まり向上にもつながります。

The projection exposure method requires no contact between the mask andworkpiece, thus eliminating potential damage to the mask, such as adhesionof photoresist. Therefore, it allows semi-permanent use of the mask andthereby reduces running cost. Also, it prevents wiring defects, therebyenhancing the yield.

焦点深度の深い（±50～100μm）投影レンズを採用することにより、段差のある基板や、厚膜レジストに対してもシャ-プなパターンプロファイルで露光が可能です。

Use of a projection lens with a deep (±50 to 100μm) depth of focus enablesexposure with a sharp pattern profile on step-structure substrates and thickphotoresist films.

独自のパターンマッチング方式アライメントOriginal Auto Alignment with Pattern Matching Method

画像処理技術を応用したパターンマッチング方式による、独自のオートアライメント機構。専用のアライメントマークを必要とせず、さまざまなワーク条件で高精度のアライメントが可能です。

Our original auto alignment mechanism, which features a pattern matchingmethod using image processing technology, allows high-precision alignmentunder various workpiece conditions with no dedicated alignment mark.

多様なワークに対応Processing of Various Workpiece Types

Siウェーハ、プリント基板、ロールワーク、ガラス基板など、ワークとアプリケーションに対応した搬送システム。

The transfer system can process various workpiece types, such as Si wafers,printed-circuit boards, rolls of film, and glass substrates.

　　　　　　　　　　　チップバンプ／インクジェットプリンタ　　　　　　パワーデバイス

　　　　　マイクロマシン／各種実験 Chip bumps,

　　power devices for ink jet printers,micromachines, various experiments, etc.

　　　　　Siウェーハ　　　　セラミック基板、他

　　Si wafers, ceramics substrates, etc.

　プリント基板 Printed-circuit boards

　ビルドアップPWB Buildup PWBs

　投影露光 Projection exposure

　片面一括 Single-sided full-wafer exposure

　オート Autoφ8"

UX-4023SC

5μｍL/S UX-4031SC

　　　　　　　HDDサスペンション　　　　　　フレキシブルプリント基板　　　　BGA/CSPテープ基板

HDD suspensions, flexible printed-circuit boards, BGA/CSP tape substrates, etc.

　　

　ロール基板 Rolled substrates

　ガラス基板 Glass substrates

　光配向 Optical alignment

ワーク種類 Workpiece type

用　途 Applications

露光方式 Exposure method

露光モード Exposure mode

ワークサイズ（最大） Max. workpiece size

アライメント Alignment

解像力 Resolution

型　式 Model








型　式 Model





露光エリア/1ショット（最大） Max. exposure area per shot



型　式 Model








型　式 Model

φ4"

φ4"

　マニュアル Manual 7μｍL/S

7μｍL/S

UX-2103SM

　両面同時一括 Double-sided full-wafer exposure

　オート Auto UX-4003DC

　オート Autoφ6" 9μｍL/S

　オート Auto

5μｍL/S UX-4040SC

　マニュアル Manual

9μｍL/S UX-2123SM

　プロキシミティ Proximity exposure

片面一括 Single-sided full-wafer exposure

　オート Auto 1μｍL/Sφ8" UX-3100SC

　マニュアル Manual 1μｍL/S UX-1100SM


　片面一括 Single-sided exposure

　160mm幅 160mm wide

　オート Auto



12μｍL/S UFX-2238B

　 160mm幅 160mm wide

　オート Auto 6μｍL/S UFX-2458B


　オート Auto 9μｍL/S UFX-2123B


　オート Auto 10μｍL/S UX-3100SR


　分　割 Step-and-repeat exposure

　オート Autoφ200（□141）mm

φ250（□177）mm

φ320（□226）mm

15μｍL/S UX-5358SC

　オート Auto 20μｍL/S UX-5348SC

　オート Auto 20μｍL/S UX-5363SC



　オート Auto

□500mm 500 mm square 1μｍL/S UX-3100SC

　マニュアル Manual 1μｍL/S UX-1100SM

■ ウシオ露光装置UXシリーズ分類表　Product Chart for USHIO Exposure System UX Series

● 2

マスクダメージレスDamage-free Mask

深い焦点深度Deep Depth of Focus

投影倍率の可変

Variable Projection Magnification

ランプから放射された光を効率よく集光し、高均一・高平行にマスクを照明する働きをするのが、照明光学系です。各ミラーに施された特殊コーティングにより、露光波長の選択や、熱線カットなどもここで行われます。ウシオの照明光学系技術は、1960年から始まったスペースチャンバ用ソーラーシミュレータ開発で培われた高度な光学技術からスタートしています。その後、数多くの半導体・液晶露光装置に照明光学系を提供し、露光装置用光学系としての完成度を高めてきました。「UXシリーズ」の照明光学系は、これまでのノウハウと実績を活かし、ランプ出力や露光波長の豊富なバリエーションを用意するなど、プロセスに応じた理想的な平行光を投影光学系に供給します。

The illumination optical system efficiently condenses the light radiated from thelamp and illuminates the mask at high uniformity and with high parallelism. Thespecial coating that covers each mirror surface allows selection of an exposurewavelength and elimination of heat rays.USHIO

,s illumination optical system technology began in 1960

,s with

development of the solar simulator for a space chamber. Since then, we atUSHIO have provided illumination optical systems for a variety of exposuresystems for manufacturing semiconductors and LCDs, and have beenapproaching the perfection of illumination optical systems for exposuresystems.We used USHIO

,s accumulated know-how and rich experience to develop an

illumination optical system for the UX Series that supplies parallel light ideal foreach process application to the projection optical system with a wide range oflamp outputs and exposure wavelengths.

光源技術Light Source Technology

● 3

投影光学系技術Projection Optical System Technologyウシオは、マスクとワークが非接触のためマスクダメージのない投影露光方式に着目し、従来では困難だった大面積・低ディストーションの光学系を開発しました。

We at USHIO observed that the projection exposure system causes nodamage to the mask because it allows no contact between the mask andworkpiece. Using this advantage, we developed the optical system that allowsexposure of a large area with low distortion, something not possible with theconventional system.

基板伸縮に伴うパターンの伸縮を検知し、最大±0.1%まで、投影倍率を自動調整します。伸縮の大きいワークの重ね合わせ露光で問題になる、重ね合わせズレを防止し、パーフェクトなレジストレーションを実現します。

Expansion or shrinkage of a pattern caused by expansion or shrinkage of thesubstrate can be detected, allowing automatic adjustment of projectionmagnification by up to ±0.1%. This feature prevents an overlay shift andachieves perfect registration.

ウシオは、光源メーカーとして、半導体・液晶ステッパをはじめとするさまざまな露光装置に、高エネルギーで高安定な紫外線光源を提供しています。大面積投影露光装置「UXシリーズ」では、装置開発と同時に光源の開発をスタートし、すべての露光装置に、光学系の特性をフルに引き出す専用設計の光源を搭載しています。

We at USHIO provide high-energy, highly stable UV light sources for a varietyof exposure systems, such as stepper systems for manufacturingsemiconductors and LCDs. For our "UX Series" of large-area projectionexposure systems, we started development of their l ight sourcessimultaneously with development of the systems to mount the light sourcesusing dedicated designs that allow full use of their optical system features.

照明光学系技術Illumination Optical System Technology 3 第一平面鏡

4 シャッタ

5 インテグレータ

6 第ニ平面鏡

7 コンデンサーレンズ

8 マスク

9 投影レンズ

10 ワーク面（露光面）

First-plane mirror

Shutter

Integratorr

Second-plane mirror

Condenser lens

Mask

Projection lens

Workpiece surface (exposure surface)

　投影光学系技術　　　　　

　アライメント系技術　　　

　精密機械制御系技術

Projection optical technology

Alignment technology

Precision machine control system technology

2 楕円集光鏡 Oval condenser mirror

1 超高圧水銀灯 Super-high-pressure mercury arc lamp

　照明光学系技術 Illumination optical system technology

　光源技術 Light source technology

1対1投影露光光学系統図

Optical System Diagram of 1:1 Projection Exposure System

1

2

3

45

6

8

7

9

10

レジストプロファイル波長依存性Dependency of Photoresist Profile on Wavelengths

ihg

hg

i

g

レジスト：PMER-LA900 20μmtPhotoresist: PMER-LA900, 20 μm in thickness

フォーカス位置Focus Positions

＋100μm

＋50μm

条件レジスト膜厚：20μmt ワーク：Bare Si 露光波長：g線（436nm）露光量：3400mj/cm2（ウシオ製UVD-436PD）評価パターンサイズ：30μm L/S

※PMER P-LA 900は東京応化工業株式会社の製品です。

Conditions Photoresist thickness: 20 μmWorkpiece: Bare Si waferExposure wavelength: g-line (436 nm)Evaluation pattern size: 30 μmL/S

* Photoresist PMER P-LA900 is a product of Tokyo Ohka

±0μm

－50μm

－100μm

PMER P-LA900※レジストの焦点深度テストTesting Depth of Focus with Photoresist PMER P-LA900*

投影レンズ

Projection Lens

露光領域φ200mm、解像度5μmL/Sのスペックを持つ低歪レンズをフラッグシップとして、多様なニーズに最適化した光学設計で、深い焦点深度を維持しながら、さまざまな露光面積、解像度を持つ投影レンズ群をシリーズ化しました。

Using a low-distortion lens with an exposure area of φ200 mm and resolutionof 5μmL/S as our flagship, we at USHIO provide a series of projection lensproducts with a range of exposure areas and resolution. Their designs areoptimized to meet a variety of needs while maintaining a deep depth of focus.

マーク間のピッチずれを自動検出し、変倍補正

1st露光パターン

2st露光パターン

オートスケール前

オートスケール後

● 4

PSR� : DSR-2200 KP-19 (TAMURA)�Thickness �: 15-20μmt�� Screen CoatingCore

Cu

PSR

<観察条件> Conditions

アライメントマーク視認性例 Visual recognition samples of alignment marks.

明視野照明 Bright-field illumination

暗視野照明 Dark-field illumination

● 5

■マスク位置合わせ Mask Alignment

アライメントマーク（マスク側）Alignment mark(on mask side)

マスクMask

モニタMonitor

●

●

●

●

アライメントマーク（マスク側）Alignment mark (on mask side)

モニタMonitor

アライメント技術Alignment Technologyウシオ大面積投影露光装置は、独自の「TTL非露光波長アライメント」のオートアライメントを採用しています。これは、マスクとワークのアライメントマークを個別に検出し、各々を画像処理によってxy座標軸上に固定し、位置合わせを行う方式です。

USHIO’s large-area projection exposure systems use the same autoalignment mechanism as its original "TTL non-exposure wavelengthalingnment method." This unique mechanism permits individualdetection of the mask and workpiece alignment marks, and fixeseach of these alignment marks onto the X/Y coordinate throughimage processing to perform alignment.

CCD

アライメントマーク（ワーク側）Alignment mark(on workpiece side)

●●

●

ワークWorkpiece

光ファイバ（非露光波長）Optical fiber (Non-exposure wavelength)

●

●

CCD

①専用のアライメントマークがなくても、さまざまな配線パターンを画像認識にて登録しアライメントする事が可能。

②アライメントマークに合わせてさまざまなオートアライメントアルゴリズムの選択が可能。（リファレンス法、重心検出）

①Allows alignment of various wiring patterns by registering them with imagerecognition without using dedicated alignment marks.

②Enables selection of various auto-alignment algorithms (reference method,center-of-gravity detection, and multipoint alignment) corresponding toalignment marks.

①全面クロムが塗られた開口部の小さなマスクでも、マスクとワークの個別観察により、ワークマークの発見が容易。

②マスク越しに観察することによるコントラストの低下がなく、鮮明なマークでアライメントできる。

③下地の影響でコントラストの低いマークでも、照明方法の選択（明視野/暗視野照明）と波長選択によって視認性を向上できる。

①Easily detects workpiece marks even using a mask with a smallopening fully coated with chrome by observing the mask andworkpiece individually.

②Eliminates drop of contrast caused by observation through themask, thus enabling alignment with clear marks.

③Allows clarity of alignment marks with low contrast due to anunderlayer to be enhanced by selecting the illumination method(bright-field or dark-field illumination) and wavelength.

TTL非露光波長アライメント

TTL non-exposure wavelength alingnment method

パターンマッチング方式

Pattern matching method

■ワーク位置合わせ Workpiece Alignment

●

また、広い露光フィールドを活かした一括露光、さらに大面積ワークに対応するステップ&リピート露光の各々に対応する露光ステージは、多様な露光ニーズに応えて、効率的で安定した処理をサポートします。

They are also provided with UV stages for full-wafer exposure using a largeexposure field, and for a workpiece too large for a single exposure can performstep-and-repeat exposure, thus meeting a variety of exposure needs andsupporting efficient and stable processes.

● 6

搬送技術Workpiece Transfer Technologyウシオ大面積投影露光装置は、Siウェーハ、フレキシブル基板、プリント基板などをはじめ、さまざまなワークに対応する高精度な搬送系を取り揃えています。

USHIO’s large-area projection exposure systems utilize high-precision transfersystems that can handle a variety of workpieces, such as Si wafers, flexibleboards, and printed-circuit boards.

対応機種 System Model

装置型式 System Model

UX-21＊＊

UX-40＊＊

UX-53＊＊

レンズタイプ及び片/両面 Lens Type and Whether Single-/Double-Sided

搬送種別 Transfer Type


03S UPL-03片面

03D UPL-03両面

38S UPL-38片面

40S UPL-40片面

R R to R

03SUPL-03 Single-Sided

03DUPL-03 Double-Sided



C C to C

RR to R

CC to C

UX-2000 UX-4000

UX-2000 UX-4000 UX-5000

UX-2000 UX-4000 UX-5000

UX-2000 UX-4000 UX-5000

UX-2000 UX-4000 UX-5000

03DX

100mm

□70mm

7

i,h,g

±2

±50

60

120

―

―

―

UVD-405PD

23DX

150mm

□106mm

9

i,h,g

±2.5

±50

32

64

115

―

―

UVD-405PD

38EX

200mm

□141mm

12

i,h,g

±2

±50

―

―

35

50

68

UVD-365PD

40EX

150mm

□106mm

5

i

±2

±40

―

―

40

55

77

UVD-365PD

初期照度※3 Initial Irradiance (mW/cm2)*3

■プロジェクション（投影露光）レンズ性能一覧 ■Performance Comparison of Projection Lens Products

＜備考＞ ※1＝東京応化製ポジレジストTSMR-8800,1μmt時の実力値です。厚膜レジストについては別途実験が必要です。 ※2＝東京応化製ポジレジストTSMR-8800,1μmt時の実力値です。 ※3＝弊社照度計受光器にて（像面初期保証照度）。波長選択なし。

<Remarks>*1: Actual value; measured by coating positive photoresist TSMR-8800 manufactured by Tokyo Ohka 1 μm in thickness. A thicker photoresist film requires a separate experiment.*2: Actual value; measured by coating positive photoresist TSMR-8800 manufactured by Tokyo Ohka 1 μm in thickness.*3: Initial irradiance on image surface as measured by USHIO’s irradiance meter detector with no wavelength selection filter.

○

○

―

―

○

×

23S UPL-23片面


○

○

○

31S UPL-31片面


―

○

―

○

○

○

○

○

○

48S UPL-48片面


○

○

○

58S UPL-58片面


○

○

○

×

○

×

×

○

○

オート Auto

×

○

○

M マニュアル

MManual

○

×

○

マニュアル Manual

○

○

○

なし None

○

―

―

レンズ型式 Lens Model

有効露光エリア（MAX） Effective Exposure Area

解像力（μm）※1 Resolving Power (μmL/S) *1

露光主波長 Main Exposure Wavelengths

投影倍率 Projection Magnification

ディストーション（μm） Distortion (μm)

焦点深度（μm）※2 Depth of Focus (μm) *2

ランプ500W 500-W lamp

ランプ1kW 1-kW lamp

ランプ2kW 2-kW lamp

ランプ3.5kW 3.5-kW lamp

ランプ4.3kW 4.3-kW lamp

測定受光器

1：1 テレセン 1:1 telecentric




68EX

200mm

□141mm

7

ih

±2

±50

―

―

40

―

87

UVD-405PD

1：1テレセン 1:1 telecentric

UX-5000

77EX

200mm

□141mm

4

i

±1.5

±30

―

―

―

―

69

UVD-365PD


UX-2000 UX-4000 UX-5000

58EX

200mm

□141mm

6

i

±2

±50

―

―

32

40

64

UVD-365PD


UX-2000 UX-4000 UX-5000

63EX

320mm

□226mm

20

i

±3

±100

―

―

9.5

15

21

UVD-365PD


プリント基板用分割投影露光装置

Step-and-Repeat Projection Exposure System for Printed-Circuit Boards

● 7

型式　UX-5358SC■露光モード 1ショット□141mmの分割投影露光■主な用途ビルドアッププリント基板■適用ワーク最大510mm×610mmのプリント配線板■アライメント方式オートアライメント（位置決め精度：±6.5μm）■ワーク搬送方式カセットtoカセット■解像度 10μmL/S■露光波長 i

Model UX-5358SC■Exposure method Step and repeat projection exposure of 141mm square per shot

■Main applications Buildup PWB

■Workpiece Pnnled-circuit board with maximum size of 510×610mm

■Alignment method Auto alignment(Alignment accuracy: ±6.5 μm)

■Work transfer method Cassettle-lo-cassette workpiece transfer

■Resolution 10 μmL/S

■Exposure wavelengths i-line





■Alignment method Auto alignment(Alignment accuracy: ±6.5μm)


■Resolution 20μmL/S


型式　UX-5338SC■露光モード 1ショット□141mmの分割投影露光■主な用途ビルドアッププリント基板■適用ワーク最大510mm×610mmのプリント配線板■アライメント方式オートアライメント（位置決め精度：±6.5μm）■ワーク搬送方式カセットtoカセット■解像度 20μmL/S■露光波長 i,h,g




■Alignment method Auto alignment (Alignment accuracy: ±6.5 μm)



■Exposure wavelengths i-line, h-line, and g-line

UX-5358SC





■Alignment method Auto alignment(Alignment accuracy: ±7.5 μm)




ロール基板用投影露光装置　

Projection Exposure Systems for Rolled Substrate

型式　UFX-2238B■露光モード 1ショット□141mmの一括投影露光■主な用途 TABテープ、BGA/CSPテープ、COFテープ■対象ワーク 160mm幅ロール巻基板■アライメント方式オートアライメント（位置決め精度：±5μm）■ワーク搬送方式ロールtoロール■解像度 12μmL/S■露光波長 i,h,g

Model UFX-2238B■Exposure mode Single-shot projection exposure of 141mm square

■Main applications TAB tapo,BGA/CSP tape,COF tape

■Workpieces Rolled substrate of up to 160 mm in width

■Alignment method Auto alignment(Alignment accuracy: ±5 μm)

■Workpiece transfer method Roll-to-roll workpiece transfer



型式　UFX-2123B■露光モード 1ショット□106mmの一括投影露光■主な用途 TABテープ、BGA/CSPテープ、COFテープ■対象ワーク 105mm幅ロール巻基板■アライメント方式オートアライメント（位置決め精度：±5μm）■ワーク搬送方式ロールtoロール■解像度 9μmL/S■露光波長 i,h,g








UFX-2000B

● 8

型式　UFX-2458B■露光モード 1ショット□141mmの一括投影露光■主な用途 TABテープ、BGA/CSPテープ、COFテープ■対象ワーク 160mm幅ロール巻基板■アライメント方式オートアライメント（位置決め精度：±5μm）■ワーク搬送方式ロールtoロール■解像度 6μmL/S■露光波長 i








片面一括投影露光装置　

Single-Sided, Full-Wafer Projection Exposure Systems

● 9

型式　UX-4040SC■露光モード φ150mmまでの一括投影投露光■主な用途パワーデバイス、チップバンプ、マイクロマシン■適用ワーク Max.φ6″Siウェーハ■アライメント方式表面：オートアライメント（位置決め精度：±2μm）

裏面：オートアライメント（位置決め精度：±3μm■ワーク搬送方式カセットtoカセット■解像度 5μmL/S■露光波長 i

Model UX-4040SC■Exposure method Full-wafer projection exposure of a wafer as large as

150 mm in diameter

■Main applications Power devices, chip bumps, micromachines

■Workpiece Wafers of up to 150 mm in diameter

■Alignment method Top surface: Auto alignment (Alignment accuracy: ±2 μm)Bottom surface: Auto alignment (Alignment accuracy: ±3 μm)

■Work transfer method Cassette-to-cassette workpiece transfer



UX-4023SC

型式　UX-4031SC■露光モード φ200mmまでの一括投影露光■主な用途パワーデバイス、チップバンプ、マイクロマシン■対象ワーク Max.φ8”ウエーハ■アライメント方式表面：オートアライメント（位置決め精度：±2μm）

裏面：オートアライメント（位置決め精度：±3μm）■ワーク搬送方式搬送ロボットによるカセットtoカセット■解像度直径200mmの場合、5μmL/S、■露光波長 h,g

Model UX-4031SC■Exposure mode Full-wafer projection exposure of a wafer as large as 200

mm in diameter


■Workpieces Wafers of up to 200 mm in diameter


■Workpiece transfer method Cassette-to-cassette wafer transfer with a handling robot

■Resolution 5 μmL/S for a 200-mm wafer

■Exposure wavelengths h-line and g-line

型式　UX-4023SC■露光モード φ150mmまでの一括投影露光■主な用途パワーデバイス、チップバンプ、マイクロマシン■対象ワーク Max.φ6”ウエーハ■アライメント方式表面：オートアライメント（位置決め精度：±2μm）

裏面：オートアライメント（位置決め精度：±3μm）■ワーク搬送方式搬送ロボットによるカセットtoカセット■解像度 9μmL/S■露光波長 i,h,g

Model UX-4023SC■Exposure mode Full-wafer projection exposure of a wafer as large as 150

mm in diameter




■Workpiece transfer method Cassette-to-cassette wafer transfer by a handling robot

■Resolution 9 μmL/S for a 200-mm wafer


● 10

型式　UX-2123SM■露光モード φ150mmまでの一括投影露光■主な用途マイクロマシン等の各種実験用■対象ワーク Max.φ6”ウエーハ■アライメント方式表面：マニュアルアライメント

裏面：マニュアルアライメント■ワーク搬送方式マニュアル搬送（バッチ式）■解像度 9μmL/S■露光波長 i,h,g

Model UX-2123SM■Exposure mode Full-wafer projection exposure of a wafer as large as 150

mm in diameter

■Main applications Various experiments, such as those for micromachine


■Alignment method Top surface: Manual alignment Bottom surface: Manual alignment

■Workpiece transfer method Manual wafer transfer (batch type)



型式　UX-2103SM■露光モード φ100mmまでの一括投影露光■主な用途マイクロマシン等の各種実験用■対象ワーク Max.φ4”ウエーハ■アライメント方式表面：マニュアルアライメント

裏面：マニュアルアライメント■ワーク搬送方式マニュアル搬送（バッチ式）■解像度 7μmL/S■露光波長 i,h,g

Model UX-2103SM■Exposure mode Full-wafer projection exposure of a wafer as large as 100

mm in diameter

■Main applications Various experiments, such as those for micromachine


■Alignment method Top surface: Manual alignment Bottom surface: Manual alignment

■Workpiece transfer method Manual wafer transfer (batch type)



マニュアル式一括投影露光装置

Manual-Type, Full-Wafer Projection Exposure System

型式　UX-4003DC■露光モード φ100mmまでの両面同時投影露光■主な用途パワーデバイス、マイクロマシン■対象ワーク φ4”ウエーハ■アライメント方式上下マスク合わせ：オートアライメント

（位置決め精度：±3μm）マスクーワーク合わせ：オートアライメント（位置決め精度：±2μm）

■ワーク搬送方式搬送ロボットによるカセットtoカセット■解像度 7μmL/S■露光波長 i,h,g

Model UX-4003DC■Exposure mode Full-wafer simultaneous projection exposure of both surface

of a wafer as large as 100mm in diameter

■Main applications Power devices and micromachines


■Alignment method Top/bottom mask alignment: Auto(Alignment accuracy: ±3 μm)Mask/workpiece alignment: Auto(Alignment accuracy: ±2 μm)

■Workpiece transfer method Cassette-to-cassette wafer transfer by handling robot



両面同時一括投影露光装置　

Double-Sided, Simultaneous Full-Wafer Projection Exposure System

UX-2103SM

UX-4003DC

プロキシミティ露光装置　Proximity Exposure System

独自のエコライジング方式を採用大面積に高精度な露光

■露光モード φ200mmまでのプロキシミティ露光

■主な用途ディスクリートICなど

■対象ワーク φ8”ウェーハ

■アライメント方式オートアライメント（位置決め精度：±0.5μm）

■ワーク搬送方式搬送ロボットによるカセットtoカセット

■解像度 1μmL/S（プリントギャップゼロ時）

■Exposure mode Proximity exposure of a wafer as large as 200mm in diameter

■Main applications Discrete ICs


■Alignment method Auto alignment (Alignment accuracy: ±0.5 μm)

■Workpiece transfer method Cassette-to-cassette wafer transfer by ahandling robot

■Resolution 1 μmL/S (Zero print gap)

UX-3100SCプロキシミティ露光装置　Cassette-to-Cassette Proximity Exposure System

UX-3100SC Automatic AlignmentProximity Exposure System


■主な用途 FPC

■対象ワーク最大φ300mm幅ロール巻基板

■アライメント方式オートアライメント（位置決め精度：±2μm）

■ワーク搬送方式ロールtoロール

■解像度 10μmL/S（プリントギャップ30μm時）

■Exposure mode Proximity exposure of up to 300 mm square

■Main applications FPCs


■Alignment method Auto alignment (Alignment accuracy: ±2 μm)


■Resolution 10 μmL/S (30 μm print gap)


■主な用途レジスト評価用など各種実験用

■対象ワーク最大φ200mm基板

■アライメント方式マニュアルアライメント

■ワーク搬送方式マニュアル搬送（バッチ式）

■解像度 1μmL/S（プリントギャップゼロ時）

■Exposure mode Proximity exposure of up to 200 mm square

■Main applications Various experiments, such as those forevaluating photoresists

■Workpieces Substrate of up to 200 mm square

■Alignment method Manual wafer transfer (batch type)


■Resolution 1 μmL/S (Zero print gap)

UX-3100SRプロキシミティ露光装置　Roll-to-Roll Proximity Exposure System

UX-3100SR Proximity ExposureSystem for Roll-to-roll Substrate

UX-1100SMプロキシミティ露光装置　Manual Proximity Exposure System

UX-1100SM Manual AlignmentProximity Exposure System

A Unique Equalizing Method That Allows High-Precision Exposure of Large Areas

Cassette to cassette

Roll to roll

Manual

輸出に関するご注意　Notice

●本装置及び本装置を使用した製品または本装置に関わる技術は、外国為替及び外国貿易法の規定により、安全保障貿易管理関連貨物及び技術に該当する場合があります。したがって、日本国外に持ち出す場合には、輸出許可申請等必要な手続きをおとり下さい。

●Equipment shown in this catalog, any products using the equipment or technologies relating the equipment fall under the category of security control relating freight ortechnologies under the provisions of the Foreign Exchange and Foreign Trade Control Law. You have to obtain permission from the Government of Japan beforeexporting them from Japan.

露光BU営業部〒100-8150 東京都千代田区大手町 2-6-1 TEL : 03-6361-5592 FAX : 03-6361-5599

URL http://www.ushio.co.jp

Exposure Business Unit Sales Department2-6-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8150 Japan TEL:+81 3-6361-5592 FAX:+81 3-6361-5599

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USHIO SHANGHAI, INC. HSBC Tower, 10/F, 1000 Lujiazui Ring Road, Pudong New Area, Shanghai, 200120, P.R.C.TEL:+86 21-6841-1135 FAX:+86 21-6841-1150

USHIO TAIWAN, INC. 10/F, #31, Sec.1 Chung-Shiaw E.Road, Taipei, 100, Taiwan, R.O.C.TEL:+886 2-2322-4103 FAX:+886 2-2394-4140

0907 X④-100 X④

大面積投影露光装置...投影露光方式で“新しい可能性”を提案します new...

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